メインナビゲーションにスキップ
検索にスキップ
メインコンテンツにスキップ
Keio University ホーム
ヘルプ&FAQ
English
日本語
ホーム
プロファイル
研究部門
研究成果
専門知識、名前、または所属機関で検索
Scopus著者プロファイル
山内 淳
物理学科
ウェブサイト
https://k-ris.keio.ac.jp/html/100011616_ja.html
h-index
1092
被引用数
14
h 指数
Pureの文献数とScopusの被引用数に基づいて算出されます
1994 …
2020
年別の研究成果
概要
フィンガープリント
ネットワーク
研究成果
(35)
類似のプロファイル
(1)
Pureに変更を加えた場合、すぐここに表示されます。
フィンガープリント
Jun Yamauchiが活動している研究トピックを掘り下げます。このトピックラベルは、この研究者の研究成果に基づきます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
1
類似のプロファイル
silicon
Physics & Astronomy
100%
photoelectron spectroscopy
Physics & Astronomy
88%
boron
Physics & Astronomy
83%
Silicon
Engineering & Materials Science
70%
binding energy
Physics & Astronomy
59%
Effective Mass
Chemical Compounds
56%
defects
Physics & Astronomy
56%
Atoms
Engineering & Materials Science
56%
過去5年の共同研究と上位研究分野
国/地域レベルにおける最近の外部共同研究。点をクリックして詳細を開くか、または
リストから国/地域を選択
詳細を開く
国/地域を選択して、共有出版物とプロジェクトを表示
閉じる
リストから国/地域を選択
研究成果
年別の研究成果
1994
1995
2001
2004
2020
29
Article
5
Conference contribution
1
Conference article
年別の研究成果
年別の研究成果
Core-level shifts in x-ray photoelectron spectroscopy of arsenic defects in silicon crystal: A first-principles study
Yamauchi, J.
,
Yoshimoto, Y.
&
Suwa, Y.
,
2020 11月 1
,
In:
AIP Advances.
10
,
11
, 115301.
研究成果
:
Article
›
査読
Open Access
arsenic
100%
x ray spectroscopy
94%
binding energy
79%
photoelectron spectroscopy
76%
shift
56%
1
被引用数 (Scopus)
First-principles calculation of X-ray photoelectron spectroscopy binding energy shift for nitrogen and phosphorus defects in 3C-silicon carbide
Matsushima, N.
&
Yamauchi, J.
,
2019
,
In:
Japanese journal of applied physics.
58
,
6
, 061005.
研究成果
:
Article
›
査読
Open Access
Binding energy
100%
X ray photoelectron spectroscopy
76%
Phosphorus
76%
Silicon carbide
67%
phosphorus
61%
3
被引用数 (Scopus)
First-principles X-ray photoelectron spectroscopy binding energy shift calculation for boron and aluminum defects in 3C-silicon carbide
Matsushima, N.
&
Yamauchi, J.
,
2019 3月 1
,
In:
Japanese journal of applied physics.
58
,
3
, 031001.
研究成果
:
Article
›
査読
Open Access
Binding energy
100%
X ray photoelectron spectroscopy
76%
Boron
71%
Silicon carbide
67%
silicon carbides
60%
4
被引用数 (Scopus)
X-ray photoelectron spectroscopy analysis of boron defects in silicon crystal: A first-principles study
Yamauchi, J.
,
Yoshimoto, Y.
&
Suwa, Y.
,
2016 5月 7
,
In:
Journal of Applied Physics.
119
,
17
, 175704.
研究成果
:
Article
›
査読
boron
100%
photoelectron spectroscopy
95%
defects
64%
silicon
62%
crystals
56%
14
被引用数 (Scopus)
First-principles core-level X-ray photoelectron spectroscopy calculation on arsenic defects in silicon crystal
Kishi, H.
,
Miyazawa, M.
,
Matsushima, N.
&
Yamauchi, J.
,
2014
,
In:
AIP Conference Proceedings.
1583
,
p. 226-229
4 p.
研究成果
:
Conference article
›
査読
arsenic
100%
binding energy
79%
photoelectron spectroscopy
76%
defects
51%
silicon
49%
2
被引用数 (Scopus)