Paul Fons

年別の研究成果

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2023

The initial time-delay response of reflectivity changes in photoexcited two-dimensional layered semiconductor 2H-MoTe2
Fukuda, T., Fons, P., Makino, K., Saito, Y., Ueno, K., Afalla, J. & Hase, M., 2023.
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2000
LiNbO₃ epitaxial films on c-sapphire substrates for waveguide applications
Matsubara, K., Niki, S., Watanabe, M., Fons, P., Iwata, K. & Yamada, A., 2000, p. 203. 1 p.
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1991
Amorphization processes in ion implanted Si. Temperature dependence
Motooka, T., Kobayashi, F., Fons, P., Tokuyama, T., Suzuki, T. & Natsuaki, N., 1991, p. 44-46. 3 p.
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2 被引用数 (Scopus)

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