Controlling of sub-μm2 domain in spin valve strip with conductor current

K. Matsuyama, H. Hosokawa, Y. Nozaki

研究成果: Conference article査読

抄録

Discussed are the experimental and numerical studies on nucleation and erasing of sub-μm2 domains in spin valve strips, which are essential operations in a high density magnetic random access memory (MRAM) and important for design consideration of a device structure. The device fabricated based on these studies is also described.

本文言語English
ページ(範囲)HA-01
ジャーナルDigests of the Intermag Conference
出版ステータスPublished - 1999 12月 1
外部発表はい
イベントProceedings of the 1999 IEEE International Magnetics Conference 'Digest of Intermag 99' - Kyongju, South Korea
継続期間: 1999 5月 181999 5月 21

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学

フィンガープリント

「Controlling of sub-μm2 domain in spin valve strip with conductor current」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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