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Current-injection T-shaped quantum wire lasers with perpendicular doping layers operating at 100 K

  • Makoto Okano
  • , Shu man Liu
  • , Masahiro Yoshita
  • , Hidefumi Akiyama
  • , Loren N. Pfeiffer
  • , Ken W. West

研究成果: Article査読

抄録

We demonstrated lasing from current-injection T-shaped GaAs/AlGaAs quantum wire (T-wire) lasers with perpendicular p- and n-doping layers. The T-wire laser showed lasing between 5 and 110 K, and showed the optimal threshold current of 2.1 mA and differential quantum efficiency of 0.9% at 100 K. In microscopic-EL imaging measurements, we observed the emissions from the outside of optical core region, which indicated overflow of holes from the active region.

本文言語English
ページ(範囲)1947-1949
ページ数3
ジャーナルPhysica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures
40
6
DOI
出版ステータスPublished - 2008 4月
外部発表はい

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 原子分子物理学および光学
  • 凝縮系物理学

フィンガープリント

「Current-injection T-shaped quantum wire lasers with perpendicular doping layers operating at 100 K」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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