抄録
We demonstrated lasing from current-injection T-shaped GaAs/AlGaAs quantum wire (T-wire) lasers with perpendicular p- and n-doping layers. The T-wire laser showed lasing between 5 and 110 K, and showed the optimal threshold current of 2.1 mA and differential quantum efficiency of 0.9% at 100 K. In microscopic-EL imaging measurements, we observed the emissions from the outside of optical core region, which indicated overflow of holes from the active region.
| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ(範囲) | 1947-1949 |
| ページ数 | 3 |
| ジャーナル | Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures |
| 巻 | 40 |
| 号 | 6 |
| DOI | |
| 出版ステータス | Published - 2008 4月 |
| 外部発表 | はい |
ASJC Scopus subject areas
- 電子材料、光学材料、および磁性材料
- 原子分子物理学および光学
- 凝縮系物理学
フィンガープリント
「Current-injection T-shaped quantum wire lasers with perpendicular doping layers operating at 100 K」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。引用スタイル
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