Electrical properties of Si(100) films doped with low-energy (≤150 eV) Sb ions during growth by molecular beam epitaxy

P. Fons, N. Hirashita, L. C. Markert, Y. W. Kim, J. E. Greene, W. X. Ni, J. Knall, G. V. Hansson, J. E. Sundgren

研究成果: Article査読

28 被引用数 (Scopus)

フィンガープリント

「Electrical properties of Si(100) films doped with low-energy (≤150 eV) Sb ions during growth by molecular beam epitaxy」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

Physics & Astronomy