High-power GaN diode pumped Q-switch Pr3+-doped LiYF4 laser

Junichiro Kojou, Yojiro Watanbe, Fumihiko Kannari

    研究成果: Conference contribution

    抄録

    A Q-switch Pr:LiYF4 laser at 639 nm pumped by a high-power GaN laser diode is demonstrated. The highest laser peak power of 4.8 W with a pulsewidth of 270 ns is obtained at 7.7 kHz.

    本文言語English
    ホスト出版物のタイトルConference on Lasers and Electro-Optics/Pacific Rim, CLEOPR 2009
    出版ステータスPublished - 2009 12月 1
    イベントConference on Lasers and Electro-Optics/Pacific Rim, CLEOPR 2009 - Shanghai, China
    継続期間: 2009 8月 302009 9月 3

    出版物シリーズ

    名前Optics InfoBase Conference Papers
    ISSN(電子版)2162-2701

    Other

    OtherConference on Lasers and Electro-Optics/Pacific Rim, CLEOPR 2009
    国/地域China
    CityShanghai
    Period09/8/3009/9/3

    ASJC Scopus subject areas

    • 器械工学
    • 原子分子物理学および光学

    フィンガープリント

    「High-power GaN diode pumped Q-switch Pr3+-doped LiYF4 laser」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

    引用スタイル