Isotope dependence of the indirect energy gap of germanium

G. Davies, E. C. Lightowlers, K. Itoh, W. L. Hansen, E. E. Haller, V. Ozhogin

研究成果: Article査読

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抄録

No-phonon luminescence from excitons bound to shallow donors and acceptors in crystalline germanium is found to move to higher energy with increasing mass number A of the germanium at the rate dE/dA=0.35+or-0.02 meV. The authors show that it is possible to predict this shift, to a good approximation, from the temperature dependence of the energy gap and the effect on the lattice parameter of the different isotopes.

本文言語English
論文番号010
ページ(範囲)1271-1273
ページ数3
ジャーナルSemiconductor Science and Technology
7
10
DOI
出版ステータスPublished - 1992 12月 1
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  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

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