抄録
No-phonon luminescence from excitons bound to shallow donors and acceptors in crystalline germanium is found to move to higher energy with increasing mass number A of the germanium at the rate dE/dA=0.35+or-0.02 meV. The authors show that it is possible to predict this shift, to a good approximation, from the temperature dependence of the energy gap and the effect on the lattice parameter of the different isotopes.
本文言語 | English |
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論文番号 | 010 |
ページ(範囲) | 1271-1273 |
ページ数 | 3 |
ジャーナル | Semiconductor Science and Technology |
巻 | 7 |
号 | 10 |
DOI | |
出版ステータス | Published - 1992 12月 1 |
外部発表 | はい |
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