Photoluminescence recombination centers in ZnO

H. Shibata, H. Tampo, M. Sakai, A. Yamada, K. Matsubara, K. Sakurai, S. Ishizuka, K. Kim, P. Fons, K. Iwata, S. Niki, K. Tamura, K. Nakahara, H. Takasu, K. Maeda, I. Niikura

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抄録

We have studied the effects of (i) impurity doping, (ii) rapid thermal annealing, and (iii) crystal polarity control on photoluminescence spectra in the band-edge emission region of high quality ZnO. As a result, we have discussed the possible lattice defects responsible for some photoluminescence emission peaks, namely (i) peak I8 appears at 3.3596 eV, (ii) peak I9 appears at 3.3565 eV and (iii) peak G appears at 3.3327 eV.

本文言語English
ページ(範囲)1026-1029
ページ数4
ジャーナルPhysica Status Solidi C: Conferences
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DOI
出版ステータスPublished - 2006
外部発表はい
イベント12th International Conference on II-VI Compounds - Warsaw, Poland
継続期間: 2005 9月 122005 9月 16

ASJC Scopus subject areas

  • 凝縮系物理学

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「Photoluminescence recombination centers in ZnO」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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