抄録
We demonstrate a mode-locked Ti:sapphire laser pumped by high-power green InGaN diode lasers from both sides of the crystal and achieved a highest laser power of 50 mW.
| 本文言語 | English |
|---|---|
| ホスト出版物のタイトル | Conference on Lasers and Electro-Optics Europe - Technical Digest |
| 出版社 | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. |
| 巻 | 2015-August |
| ISBN(印刷版) | 9781557529688 |
| 出版ステータス | Published - 2015 8月 10 |
| イベント | Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2015 - San Jose, United States 継続期間: 2015 5月 10 → 2015 5月 15 |
Other
| Other | Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2015 |
|---|---|
| 国/地域 | United States |
| City | San Jose |
| Period | 15/5/10 → 15/5/15 |
ASJC Scopus subject areas
- 電子工学および電気工学
- 原子分子物理学および光学
- 電子材料、光学材料、および磁性材料
フィンガープリント
「Power scaling of femtosecond Ti: Sapphire laser double-side-pumped by high-power green InGaN diode lasers」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。引用スタイル
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