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Power scaling of femtosecond Ti: Sapphire laser double-side-pumped by high-power green InGaN diode lasers

  • Ryota Sawada
  • , Hiroki Tanaka
  • , Ryosuke Kariyama
  • , Kenichi Hirosawa
  • , Fumihiko Kannari

研究成果: Conference contribution

抄録

We demonstrate a mode-locked Ti:sapphire laser pumped by high-power green InGaN diode lasers from both sides of the crystal and achieved a highest laser power of 50 mW.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルConference on Lasers and Electro-Optics Europe - Technical Digest
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
2015-August
ISBN(印刷版)9781557529688
出版ステータスPublished - 2015 8月 10
イベントConference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2015 - San Jose, United States
継続期間: 2015 5月 102015 5月 15

Other

OtherConference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2015
国/地域United States
CitySan Jose
Period15/5/1015/5/15

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学
  • 原子分子物理学および光学
  • 電子材料、光学材料、および磁性材料

フィンガープリント

「Power scaling of femtosecond Ti: Sapphire laser double-side-pumped by high-power green InGaN diode lasers」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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