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Scalable quantum computing with ion-implanted dopant atoms in Silicon

  • A. Morello
  • , G. Tosi
  • , F. A. Mohiyaddin
  • , V. Schmitt
  • , V. Mourik
  • , T. Botzem
  • , A. Laucht
  • , J. J. Pla
  • , S. Tenberg
  • , R. Savytskyy
  • , M. Madzik
  • , F. Hudson
  • , A. S. Dzurak
  • , K. M. Itoh
  • , A. M. Jakob
  • , B. C. Johnson
  • , J. C. McCallum
  • , D. N. Jamieson

研究成果: Conference contribution

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抄録

We present a scalable strategy to manufacture quantum computer devices, by encoding quantum information in the combined electron-nuclear spin state of individual ion-implanted phosphorus dopant atoms in silicon. Our strategy allows a typical pitch between quantum bits of order 200 nm, and retains compatibility with the standard fabrication processes adopted in classical CMOS nanoelectronic devices. We theoretically predict fast and high-fidelity quantum logic operations, and present preliminary experimental progress towards the realization of a 'flip-flop' qubit system.

本文言語English
ホスト出版物のタイトル2018 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2018
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
ページ6.2.1-6.2.4
ISBN(電子版)9781728119878
DOI
出版ステータスPublished - 2018 7月 2
イベント64th Annual IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2018 - San Francisco, United States
継続期間: 2018 12月 12018 12月 5

出版物シリーズ

名前Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
2018-December
ISSN(印刷版)0163-1918

Conference

Conference64th Annual IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2018
国/地域United States
CitySan Francisco
Period18/12/118/12/5

ASJC Scopus subject areas

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • 凝縮系物理学
  • 電子工学および電気工学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Scalable quantum computing with ion-implanted dopant atoms in Silicon」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル