抄録
Optical bistability due to thermally induced refractive index changes is observed in MBE-grown InGaAs/InAlAs MQW etalon devices at around a 1.5 μm wavelength. The relation between optical bistable characteristics and incident beam wavelength is studied in detail using a tunable F-center laser.
| 本文言語 | English |
|---|---|
| ページ（範囲） | 55-58 |
| ページ数 | 4 |
| ジャーナル | IEEE Photonics Technology Letters |
| 巻 | 1 |
| 号 | 3 |
| DOI | |
| 出版ステータス | Published - 1989 3月 |
| 外部発表 | はい |
ASJC Scopus subject areas
- 電子材料、光学材料、および磁性材料
- 原子分子物理学および光学
- 電子工学および電気工学