Ultrahigh-Q silicon-on-insulator one dimensional mode-gap nanocavity

Eiichi Kuramochi, Takasumi Tanabe, Hideaki Taniyama, Kohei Kawasaki, Masaya Notomi

研究成果: Conference contribution

1 被引用数 (Scopus)

抄録

We reveal that a Si-wire-compatible SOI one-dimensional photonic crystal nanocavity can have a numerical Q as high as 108 with a modal volume of less than 1 (λ/n)3. An experimental Q of 360,000 is observed.

本文言語English
ホスト出版物のタイトルLasers and Electro-Optics/Quantum Electronics and Laser Science Conference
ホスト出版物のサブタイトル2010 Laser Science to Photonic Applications, CLEO/QELS 2010
出版ステータスPublished - 2010
外部発表はい
イベントLasers and Electro-Optics/Quantum Electronics and Laser Science Conference: 2010 Laser Science to Photonic Applications, CLEO/QELS 2010 - San Jose, CA, United States
継続期間: 2010 5月 162010 5月 21

出版物シリーズ

名前Lasers and Electro-Optics/Quantum Electronics and Laser Science Conference: 2010 Laser Science to Photonic Applications, CLEO/QELS 2010

Other

OtherLasers and Electro-Optics/Quantum Electronics and Laser Science Conference: 2010 Laser Science to Photonic Applications, CLEO/QELS 2010
国/地域United States
CitySan Jose, CA
Period10/5/1610/5/21

ASJC Scopus subject areas

  • 電子工学および電気工学
  • 放射線

フィンガープリント

「Ultrahigh-Q silicon-on-insulator one dimensional mode-gap nanocavity」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

引用スタイル